Le transistor nouveau d’Intel est arrivé. Le 3D Tri Gate est un transistor qui prend du relief. Mais surtout il offre des performances accrues avec une intégration plus importante.
Par la voix de Paul Otellini, son PDG, Intel a fait savoir qu’Intel venait de “réinventer le transistor“. Beaucoup d’emphase et des grands mots pour faire l’article du tout nouveau transistor MOS d’Intel. Mais il s’agit effectivement bien plus que d’une simple innovation ou d’une amélioration.
Il s’agit d’un transistor dont la partie active où se constitue le canal ne se situe plus sous la grille mais dans la grille. Elle y est encastrée. La tension grille source contrôle donc parfaitement le canal et sur tout le volume pris en sandwich entre la grille. La fréquence de transition du transition est plus élevée ce qui signifie qu’il peut opérer à des fréquences plus élevées. Mais la tension de seuil plus faible lui permet également de fonctionner sous des tensions plus faibles et c’est donc une puissance plus faible qui en résulte pour le circuit intégré. Les courants de fuite sont également plus faibles. Il est “37% plus performant que son équivalent planar à faible tension”.
Il sera le transistor de base du microprocesseur Ivy Bridge gravé dans la technologie 22nm qui devrait arriver début 2012 et qui promet de donner un coup de fouet aux CPU Atom sur le front de la mobilité.
par iGZ`Naninou » 05 Mai 2011, 06:00 
